MOSFET Infineon, canale N, 22 mΩ, 7,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-3877P
Codice costruttore:: IRF7495TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 22 mΩ, 7,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 827-3877P
Codice costruttore:: IRF7495TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7495TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,3 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	22 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	34 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4mm
Lunghezza	5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale N, 22 mΩ, 7,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon