MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,8 mΩ, 100 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-4684P
Codice costruttore:: CSD16321Q5
Costruttore:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,8 mΩ, 100 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale

1965 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Pezzo (Fornito in bobina) Quantità inferiori a 150 pz. sono fornite in una striscia senza intestazioni.

0,756 €

(IVA esclusa)

0,922 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
5 +	0,756 €

Codice RS:: 827-4684P
Codice costruttore:: CSD16321Q5
Costruttore:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	25 V
Serie	NexFET
Tipo di package	VSON-CLIP
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Tensione di soglia gate minima	0.9V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +10 V
Larghezza	5.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 4,5 V
Lunghezza	6.1mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.05mm

MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,8 mΩ, 100 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments