MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-4909P
Codice costruttore:: CSD18563Q5A
Costruttore:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale

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Prezzo per Pezzo (Fornito in bobina) Quantità inferiori a 150 pz. sono fornite in una striscia senza intestazioni.

1,002 €

(IVA esclusa)

1,222 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
25 - 95	1,002 €
100 - 245	0,872 €
250 - 495	0,816 €
500 +	0,772 €

Codice RS:: 827-4909P
Codice costruttore:: CSD18563Q5A
Costruttore:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	VSONP
Serie	NexFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	10,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Tensione di soglia gate minima	1.7V
Dissipazione di potenza massima	3,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Lunghezza	5.8mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.1mm

MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments