1 MOSFET Texas Instruments Singolo, canale N, 10.8 mΩ, 100 A 60 V, VSONP, Superficie Miglioramento, 8 Pin CSD18563Q5A
- Codice RS:
- 827-4909P
- Codice costruttore:
- CSD18563Q5A
- Costruttore:
- Texas Instruments
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- Codice RS:
- 827-4909P
- Codice costruttore:
- CSD18563Q5A
- Costruttore:
- Texas Instruments
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Texas Instruments | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 10.8 mΩ | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 100 A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 60 V | |
| Tipo di package | VSONP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione diretta (Vf) | 800 mV | |
| Altezza | 1.1 mm | |
| Lunghezza | 5.8 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 3.2 W | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | NexFET | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs | 15 nC | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Texas Instruments | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 10.8 mΩ | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 100 A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 60 V | ||
Tipo di package VSONP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 8 | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione diretta (Vf) 800 mV | ||
Altezza 1.1 mm | ||
Lunghezza 5.8 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 3.2 W | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie NexFET | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs 15 nC | ||
Larghezza 5 mm | ||