MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,2 mΩ, 259 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 827-4919P
Codice costruttore:: CSD19536KCS
Costruttore:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,2 mΩ, 259 A, TO-220, Su foro

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Prezzo per Pezzo (fornito in Tubo)

3,33 €

(IVA esclusa)

4,06 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
26 +	3,33 €

Codice RS:: 827-4919P
Codice costruttore:: CSD19536KCS
Costruttore:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	259 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	NexFET
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.2V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	118 nC a 10 V
Larghezza	4.7mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.51mm

MOSFET Texas Instruments, canale N, 3,2 mΩ, 259 A, TO-220, Su foro

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments