Servizi
Promozioni e novità
Richiedi una quotazione
Traccia la spedizione
Accedi / Registrati
Accedi
/
Registrati
per accedere ai vantaggi dedicati a te
Menu
Codice costruttore
Cercato recentemente
Automazione e Controllo di Processo
Cavi e fili
Contenitori e Rack
Fusibili e interruttori magnetotermici
HVAC, Ventilatori e Gestione termica
Illuminazione
Interruttori e Pulsanti
Relè e convertitori di segnale
Alimentatori e Trasformatori
Batterie e caricabatterie
Connettori
Controllo ESD, Camera bianca e prototipazione PCB
Display e optoelettronica
Passivi
Raspberry Pi, Arduino, ROCK e Strumenti di sviluppo
Semiconduttori
DPI e Abbigliamento da lavoro
Informatica e periferiche
Prevenzione rischi e sicurezza sul lavoro
Prodotti per ufficio
Pulizia e manutenzione
Sicurezza e ferramenta
Strumenti di misura
Accesso, Stoccaggio e Movimentazione merci
Adesivi, sigillanti e nastri
Cuscinetti e Guarnizioni
Ferramenta
Idraulica e condutture
Materiali tecnici e per l'industria
Pneumatica e idraulica
Trasmissione di potenza
Utensili elettrici e saldatura
Utensili manuali
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220SIS, Su foro
Codice RS:
827-6151P
Codice costruttore:
TK20A60W,S5VX(M
Costruttore:
Toshiba
Visualizza MOSFET
Prodotto discontinuato
Codice RS:
827-6151P
Codice costruttore:
TK20A60W,S5VX(M
Costruttore:
Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Specifiche
TK20A60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1
RoHS
Dichiarazione di conformità
Paese di origine:
MY
MOSFET a canale N, serie TK2x, Toshiba
Transistor MOSFET, Toshiba
Attributo
Valore
Tipo di canale
N
Corrente massima continuativa di drain
20 A
Tensione massima drain source
600 V
Serie
TK
Tipo di package
TO-220SIS
Tipo di montaggio
Su foro
Numero pin
3
Resistenza massima drain source
155 mΩ
Modalità del canale
Enhancement
Tensione di soglia gate massima
3.7V
Dissipazione di potenza massima
45 W
Configurazione transistor
Singolo
Tensione massima gate source
-30 V, +30 V
Lunghezza
10mm
Materiale del transistor
Si
Carica gate tipica @ Vgs
48 nC a 10 V
Numero di elementi per chip
1
Larghezza
4.5mm
Massima temperatura operativa
+150 °C
Altezza
15mm