MOSFET Toshiba, canale N, 8,4 mΩ, 46 A, TO-220SIS, Su foro

Codice RS:: 827-6233P
Codice costruttore:: TK46A08N1,S4X(S
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 8,4 mΩ, 46 A, TO-220SIS, Su foro

Prodotto discontinuato

Alternativa

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MOSFET Toshiba, canale N, 8,4 mΩ, 46 A, TO-220SIS, Su foro

Codice RS: 168-7984

Cadauno (in una stecca da 50)

0,766 €

(IVA esclusa)

0,935 €

(IVA inclusa)

Codice RS:: 827-6233P
Codice costruttore:: TK46A08N1,S4X(S
Costruttore:: Toshiba

TK46A08N1, MOSFET Silicon N-channel MOS (U-MOS VIII-H)
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	46 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	TK
Tipo di package	TO-220SIS
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	8,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	35 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.5mm
Lunghezza	10mm
Carica gate tipica @ Vgs	37 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	15mm