Singolo MOSFET STMicroelectronics, canale N, 5 A 40 V, PowerSO, Superficie Miglioramento, 10 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
829-0627P
Codice costruttore:
PD55015-E
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Frequenza

1GHz

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Potenza di uscita

15W

Serie

LdmoST

Tipo di package

PowerSO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

65°C

Temperatura massima di funzionamento

165°C

Configurazione transistor

Singolo

Larghezza

9.5mm

Lunghezza

9.6mm

Altezza

3.6mm

Standard/Approvazioni

JEDEC Approved

Guadagno potenza tipico

14dB

Standard automobilistico

No

Transistor MOSFET RF, STMicroelectronics


I transistor a radio frequenza sono LDMOS adatti per uplink satellitari in banda L e transistor di potenza DMOS in applicazioni che vanno da 1 MHz a 2 GHz.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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