MOSFET Microchip, canale N, 12 Ω, 175 mA, TO-92, Su foro

Codice RS:: 829-3320
Codice costruttore:: DN2530N3-G
Costruttore:: Microchip

MOSFET Microchip, canale N, 12 Ω, 175 mA, TO-92, Su foro

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Codice RS:: 829-3320
Codice costruttore:: DN2530N3-G
Costruttore:: Microchip

DN2530, N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	175 mA
Tensione massima drain source	300 V
Tipo di package	TO-92
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	12 Ω
Modalità del canale	Depletion
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Dissipazione di potenza massima	740 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5.2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.19mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	5.33mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Microchip, canale N, 12 Ω, 175 mA, TO-92, Su foro

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Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex

Caratteristiche

Applicazioni