MOSFET Microchip, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Codice RS:: 829-3354P
Codice costruttore:: DN3535N8-G
Costruttore:: Microchip

MOSFET Microchip, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 829-3354P
Codice costruttore:: DN3535N8-G
Costruttore:: Microchip

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	230 mA
Tensione massima drain source	350 V
Tipo di package	TO-243AA
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	10 Ω
Modalità del canale	Depletion
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Dissipazione di potenza massima	1,6 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	2.6mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	4.6mm
Altezza	1.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Microchip, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

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Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex

Caratteristiche

Applicazioni