Singolo MOSFET Microchip, canale Tipo N, 10 Ω 350 V, 230 mA Depletion, Montaggio superficiale, 4 Pin DN3535N8-G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
829-3354P
Codice costruttore:
DN3535N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

230mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

350V

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20, -20V

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.6mm

Larghezza

2.6mm

Altezza

1.6mm

Transistori MOSFET in modalità di esaurimento a canale N Supertex


La gamma Supertex di transistor FET DMOS in modalità di esaurimento a canale N di Microchip è adatta per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione rapide.

Caratteristiche


Impedenza di ingresso elevata

Bassa capacità di ingresso

Velocità di commutazione rapide

Bassa resistenza in stato attivo

Privo di scarica secondaria

Bassa perdita in ingresso e in uscita

Applicazioni tipiche


Interruttori normalmente attivi

Relè a stato solido

Convertitori

Amplificatori lineari

Fonti di corrente costante

Circuiti di alimentazione

Telecomunicazioni

Transistor MOSFET, Microchip