MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 4 mΩ Miglioramento, 161 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR7843TRPBF
- Codice RS:
- 830-3382
- Codice Distrelec:
- 304-37-849
- Codice costruttore:
- IRLR7843TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
5,43 €
(IVA esclusa)
6,62 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 20 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 13.810 unità in spedizione dal 16 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,543 € | 5,43 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 830-3382
- Codice Distrelec:
- 304-37-849
- Codice costruttore:
- IRLR7843TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 161A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 34nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 161A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.39mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di drenaggio continua massima di 161 A, dissipazione di potenza massima di 140 W - IRLR7843TRPBF
Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei settori elettrico ed elettronico, particolarmente adatto alle esigenze del settore automobilistico e industriale. La sua tecnologia HEXFET garantisce un'efficienza e un'affidabilità impressionanti, rendendolo ideale per i convertitori buck sincroni ad alta frequenza e per i convertitori DC-DC isolati. Il dispositivo gestisce efficacemente la dissipazione di potenza, migliorando le prestazioni dei sistemi elettronici.
Caratteristiche e vantaggi
• L'RDS(on) estremamente basso ottimizza la perdita di potenza e l'efficienza
• L'elevata corrente di drenaggio continua supporta le applicazioni intensive
• Progettato per temperature di esercizio elevate per garantire le prestazioni
• La costruzione senza piombo soddisfa gli standard di progettazione ecologica
• La bassa carica del gate migliora il comportamento di commutazione nei circuiti
Applicazioni
• Utilizzato nei convertitori buck sincroni ad alta frequenza
• Impiegato nei convertitori DC-DC isolati per i sistemi di telecomunicazione
• Serve i sistemi di gestione dell'alimentazione nel settore automobilistico
• Adatto agli alimentatori industriali che richiedono una maggiore efficienza
• Ideale per la regolazione della potenza nei processori dei computer
Quali sono le caratteristiche tipiche delle prestazioni termiche?
La temperatura massima di funzionamento è di +175°C con una resistenza termica di 50°C/W dalla giunzione all'ambiente, che garantisce prestazioni efficaci in ambienti termici.
In che modo la bassa RDS(on) influisce sul progetto complessivo del circuito?
La bassa RDS(on) riduce le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza in condizioni di carico variabili, un aspetto cruciale per i progetti ad alte prestazioni.
È in grado di gestire efficacemente le correnti ad impulsi?
Sì, è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 620 A, garantendo l'affidabilità operativa in presenza di carichi dinamici.
Quali metodi di montaggio sono compatibili con questo componente?
Essendo un componente a montaggio superficiale in confezione DPAK, è adatto ai processi di assemblaggio automatizzati.
È adatto all'uso in applicazioni automobilistiche?
Le sue specifiche, tra cui una tensione massima di drain-source di 30 V, lo rendono adatto ai sistemi di alimentazione automobilistici.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 4 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 210 mΩ Miglioramento TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 210 mΩ Miglioramento TO-252, Superficie IPD60R280PFD7SAUMA1
- MOSFET Infineon 7.3 mΩ Miglioramento TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 3.2 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 750 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 28.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 13 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
