MOSFET Infineon, canale P, 5,2 mΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

80 A

Tensione massima drain source

40 V

Serie

OptiMOS P

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

5,2 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

125 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

116 nC a 10 V

Lunghezza

10mm

Materiale del transistor

Si

Larghezza

9.25mm

Altezza

4.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C