MOSFET Infineon, canale N, 7,1 mΩ, 100 A, I2PAK (TO-262), Su foro
- Codice RS:
- 857-4647
- Codice costruttore:
- IPI100N08S207AKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
- Codice RS:
- 857-4647
- Codice costruttore:
- IPI100N08S207AKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 100 A | |
| Tensione massima drain source | 75 V | |
| Tipo di package | I2PAK (TO-262) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 7,1 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Tensione di soglia gate minima | 2.1V | |
| Dissipazione di potenza massima | 300 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Larghezza | 4.4mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 144 nC a 10 V | |
| Lunghezza | 10mm | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Altezza | 9.25mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 100 A | ||
Tensione massima drain source 75 V | ||
Tipo di package I2PAK (TO-262) | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 7,1 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Tensione di soglia gate minima 2.1V | ||
Dissipazione di potenza massima 300 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Larghezza 4.4mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Carica gate tipica @ Vgs 144 nC a 10 V | ||
Lunghezza 10mm | ||
Materiale del transistor Si | ||
Altezza 9.25mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Non applicabile
Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™
I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.
Canale N - modalità potenziata
Qualifica per uso automobilistico AEC Q101
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Contenitore verde (senza piombo)
Rds(on) ultra bassa
Qualifica per uso automobilistico AEC Q101
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Contenitore verde (senza piombo)
Rds(on) ultra bassa
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.