MOSFET tedrodo Infineon, canale N, 25 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
857-8475
Codice costruttore:
BG3130RH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

25 mA

Tensione massima drain source

8 V

Tipo di package

SOT-363 (SC-88)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.6V

Dissipazione di potenza massima

200 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

+6 V

Larghezza

1.25mm

Lunghezza

2mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Guadagno potenza tipico

31 dB

Altezza

0.8mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tetrode MOSFET a doppio gate Infineon


Transistor RF con tetrode MOSFET a bassa rumorosità e doppio gate di Infineon


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati