MOSFET onsemi, canale Tipo N 800 V, 0.4 Ω Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-220F, Foro passante FCPF400N80Z

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
864-7925
Codice costruttore:
FCPF400N80Z
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SuperFET II

Tipo di package

TO-220F

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

35.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V ac

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.9 mm

Altezza

16.07mm

Lunghezza

10.36mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor


Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.

Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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