MOSFET Fairchild Semiconductor, canale P, 105 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
864-8017
Codice costruttore:
FDC642P_F085
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
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Marchio

Fairchild Semiconductor

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

4 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

105 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.4V

Dissipazione di potenza massima

1,2 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-8 V, +8 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

1.7mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

3mm

Carica gate tipica @ Vgs

6,9 nC @ 4,5 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Serie

PowerTrench

MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..
I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello delle generazioni precedenti.
Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare i circuiti di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.