MOSFET onsemi, canale N 200 V, 130 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD18N20LZ
- Codice RS:
- 864-8057P
- Codice costruttore:
- FDD18N20LZ
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|---|
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- Codice RS:
- 864-8057P
- Codice costruttore:
- FDD18N20LZ
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | UniFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 130mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 89W | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie UniFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 130mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 89W | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Altezza 2.39mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico No | ||