2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale N, 259 mΩ, 1.2 A 20 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDG1024NZ
- Codice RS:
- 864-8142P
- Codice costruttore:
- FDG1024NZ
- Costruttore:
- onsemi
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 864-8142P
- Codice costruttore:
- FDG1024NZ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 259 mΩ | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 1.2 A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 20 V | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 6 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione diretta (Vf) | 700 mV | |
| Altezza | 1 mm | |
| Lunghezza | 2 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | -8 V, +8 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 360 mW | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs | 1.8 nC | |
| Larghezza | 1.25 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 259 mΩ | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 1.2 A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 20 V | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 6 | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione diretta (Vf) 700 mV | ||
Altezza 1 mm | ||
Lunghezza 2 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) -8 V, +8 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 360 mW | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs 1.8 nC | ||
Larghezza 1.25 mm | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.