MOSFET onsemi, canale N, 33 mΩ, 7,5 A, MLP, Montaggio superficiale

Codice RS:: 864-8174P
Codice costruttore:: FDMA86551L
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 33 mΩ, 7,5 A, MLP, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 864-8174P
Codice costruttore:: FDMA86551L
Costruttore:: onsemi

FDMA86551L, Single N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 23mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,5 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	MLP
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	33 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,4 W, 900 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	2mm
Lunghezza	2mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC @ 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.75mm

MOSFET onsemi, canale N, 33 mΩ, 7,5 A, MLP, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor