MOSFET onsemi, canale N, 33 mΩ, 7,5 A, MLP, Montaggio superficiale

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

7,5 A

Tensione massima drain source

60 V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

MLP

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

33 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

2,4 W, 900 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

12 nC @ 10 V

Lunghezza

2mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Larghezza

2mm

Altezza

0.75mm

Minima temperatura operativa

-55 °C