MOSFET onsemi, canale P, 16 mΩ, 12 A, MicroFET 2 x 2, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
864-8183
Codice costruttore:
FDMA908PZ
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

12 A

Tensione massima drain source

12 V

Tipo di package

MicroFET 2 x 2

Serie

PowerTrench

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

16 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.4V

Dissipazione di potenza massima

2,4 W, 900 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-8 V, +8 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

2.05mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

24 nC a 4,5 V

Larghezza

2.05mm

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

0.775mm

MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..
I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello delle generazioni precedenti.
Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare i circuiti di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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