1 MOSFET onsemi Singolo, canale N, 69 mΩ, 16 A 150 V, WDFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDMC86260
- Codice RS:
- 864-8221P
- Codice costruttore:
- FDMC86260
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 864-8221P
- Codice costruttore:
- FDMC86260
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 69 mΩ | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 16 A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 150 V | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione diretta (Vf) | 1.3 V | |
| Altezza | 750 μm | |
| Lunghezza | 3.3 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 54 W | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs | 15 nC | |
| Larghezza | 3.3 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 69 mΩ | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 16 A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 150 V | ||
Tipo di package WDFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 8 | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione diretta (Vf) 1.3 V | ||
Altezza 750 μm | ||
Lunghezza 3.3 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 54 W | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs 15 nC | ||
Larghezza 3.3 mm | ||
- Paese di origine:
- DE
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.