MOSFET onsemi, canale N 600 V, 41 mΩ Miglioramento, 76 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 865-1268P
- Codice costruttore:
- FCH041N60F
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 10 unità (fornito in tubo)*
97,10 €
(IVA esclusa)
118,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Pochi pezzi in magazzino
- Più 209 unità in spedizione dal 14 settembre 2026
Le nostre scorte attuali sono limitate e i nostri fornitori prevedono difficoltà di approvvigionamento.
Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 + | 9,71 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 865-1268P
- Codice costruttore:
- FCH041N60F
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 76A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | SuperFET II | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 595W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 277nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 76A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie SuperFET II | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 595W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 277nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 20.82mm | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.
Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.