MOSFET MagnaChip, canale N, 3,4 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
871-6646
Codice costruttore:
MDD3N40RH
Costruttore:
MagnaChip
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

MagnaChip

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

2 A

Tensione massima drain source

400 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

3,4 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Dissipazione di potenza massima

30 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

5,1 nC a 10 V

Larghezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Tensione diretta del diodo

1.4V

Altezza

2.39mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

MOSFET ad alta tensione (HV)


MOSFET ad alta tensione a canale N con una bassa resistenza in stato attivo e prestazioni di commutazione elevate.


Transistor MOSFET, MagnaChip