MOSFET MagnaChip, canale N, 1,4 Ω, 4,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
871-6655
Codice costruttore:
MDD5N50RH
Costruttore:
MagnaChip
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Marchio

MagnaChip

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

4,4 A

Tensione massima drain source

500 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,4 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Dissipazione di potenza massima

70 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

12,2 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Materiale del transistor

Si

Tensione diretta del diodo

1.4V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.39mm

Paese di origine:
CN

MOSFET ad alta tensione (HV)


MOSFET ad alta tensione a canale N con una bassa resistenza in stato attivo e prestazioni di commutazione elevate.


Transistor MOSFET, MagnaChip