MOSFET IXYS, canale Tipo N 55 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 550 A, 24 Pin, SMPD, Superficie MMIX1T550N055T2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
875-2500
Codice costruttore:
MMIX1T550N055T2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

550A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

24

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

830W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

595nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

25.25mm

Altezza

5.7mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS


Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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