MOSFET IXYS, canale Tipo N 55 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 550 A, 24 Pin, SMPD, Superficie MMIX1T550N055T2
- Codice RS:
- 875-2500
- Codice costruttore:
- MMIX1T550N055T2
- Costruttore:
- IXYS
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
46,56 €
(IVA esclusa)
56,80 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 27 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 1 | 46,56 € |
| 2 - 4 | 45,62 € |
| 5 - 9 | 44,23 € |
| 10 - 14 | 43,76 € |
| 15 + | 43,30 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 875-2500
- Codice costruttore:
- MMIX1T550N055T2
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 550A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | SMPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 24 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 595nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 830W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.7mm | |
| Larghezza | 23.25 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 25.25mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 550A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package SMPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 24 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 595nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 830W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.7mm | ||
Larghezza 23.25 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 25.25mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS
Link consigliati
- MOSFET IXYS 1.3 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie
- MOSFET IXYS 1.3 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie
- MOSFET IXYS 1.3 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie MMIX1T600N04T2
- MOSFET IXYS 1.6 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie
- MOSFET IXYS 1.6 mΩ Miglioramento 24 Pin Superficie MMIX1F520N075T2
- MOSFET IXYS 550 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET IXYS 550 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IXTP8N65X2M
- 1 MOSFET IXYS Singolo 132 A 250 V Montaggio superficiale Miglioramento, 24 Pin MMIX1F180N25T
