MOSFET Infineon, canale N, 80 mΩ, 43,3 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 898-6927P
Codice costruttore:: IPW65R080CFDAFKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 80 mΩ, 43,3 A, TO-247, Su foro

Prezzo per Pezzo (fornito in stecca)**

10,61 €

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Unità	Per unità
5 - 9	10,08 €
10 - 24	9,87 €
25 - 49	9,23 €
50 +	8,60 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 898-6927P
Codice costruttore:: IPW65R080CFDAFKSA1
Costruttore:: Infineon

CoolMOS CFD 650V Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	43,3 A
Tensione massima drain source	700 V
Tipo di package	TO-247
Serie	CoolMOS™ CFD
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	80 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	391 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	16.13mm
Carica gate tipica @ Vgs	167 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.21mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	0.9V
Altezza	21.1mm

MOSFET Infineon, canale N, 80 mΩ, 43,3 A, TO-247, Su foro

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MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™ CFD