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    MOSFET Wolfspeed, canale N, 1,4 Ω, 5 A, TO-247, Su foro

    Wolfspeed
    Codice RS:
    904-7345P
    Codice costruttore:
    C2M1000170D
    Costruttore:
    Wolfspeed
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    574 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
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    Prezzo per Pezzo (fornito in stecca)

    € 7,99

    (IVA esclusa)

    € 9,75

    (IVA inclusa)

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    5 - 9€ 7,99
    10 - 29€ 7,84
    30 - 89€ 7,62
    90 +€ 7,41
    Opzioni di confezione:
    Codice RS:
    904-7345P
    Codice costruttore:
    C2M1000170D
    Costruttore:
    Wolfspeed

    Documentazione Tecnica


    Normative

    Paese di origine:
    CN

    Dettagli prodotto

    MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed


    MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.

    • Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata
    • Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
    • Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
    • Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
    • Funzionamento resistente a latch-up


    Transistor MOSFET, Wolfspeed

    Specifiche

    AttributoValore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain5 A
    Tensione massima drain source1700 V
    Tipo di packageTO-247
    Tipo di montaggioSu foro
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source1,4 Ω
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima3.1V
    Tensione di soglia gate minima2.4V
    Dissipazione di potenza massima69 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-5 V, +20 V
    Carica gate tipica @ Vgs13 nC a 20 V, 13 nC a 5 V
    Numero di elementi per chip1
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Lunghezza16.13mm
    Larghezza5.21mm
    Materiale del transistorSiC
    Altezza21.1mm
    Minima temperatura operativa-55 °C
    Tensione diretta del diodo3.8V
    574 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
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