MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1 kV, 6.8 Ω Miglioramento, 2.2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD4NK100Z

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
906-2776P
Codice costruttore:
STD4NK100Z
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Tipo di package

TO-252

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.2 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics