MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 100 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante SCT30N120
- Codice RS:
- 907-4741P
- Codice costruttore:
- SCT30N120
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 10 unità (fornito in tubo)*
166,90 €
(IVA esclusa)
203,60 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 290 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 + | 16,69 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 907-4741P
- Codice costruttore:
- SCT30N120
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 45A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 270W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -10V, +25V | |
| Tensione diretta Vf | 3.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 105nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 45A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 270W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -10V, +25V | ||
Tensione diretta Vf 3.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 105nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Altezza 20.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N, STMicroelectronics
I MOSFET al carburo di silicio (SiC) presentano una resistenza statica drain-source a stato attivo molto bassa per il valore nominale di 1200 V unita ad eccellenti prestazioni di commutazione, che si traducono in sistemi più efficienti e compatti.