MOSFET Infineon, canale N, 150 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 911-4978
Codice costruttore:: BSP318SH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 150 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
1000 - 1000	0,355 €	355,00 €
2000 - 2000	0,337 €	337,00 €
3000 +	0,316 €	316,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 911-4978
Codice costruttore:: BSP318SH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,6 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	150 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 10 V
Lunghezza	6.5mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 150 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

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