MOSFET Infineon, canale N, 11,8 mΩ, 42 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

42 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

PQFN 3 x 3

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

11,8 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.35V

Tensione di soglia gate minima

1.35V

Dissipazione di potenza massima

2,8 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

3mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

9,6 nC a 4,5 V

Lunghezza

3mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Serie

HEXFET

Altezza

0.95mm

Tensione diretta del diodo

1V

Minima temperatura operativa

-55 °C