MOSFET Wolfspeed, canale N, 155 mΩ, 23 A, TO-247, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
915-8849
Codice costruttore:
C3M0120090D
Costruttore:
Wolfspeed
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Marchio

Wolfspeed

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

23 A

Tensione massima drain source

900 V

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

155 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Tensione di soglia gate minima

1.8V

Dissipazione di potenza massima

97 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-8 V, +18 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

16.13mm

Carica gate tipica @ Vgs

17,3 nC a 15 V

Larghezza

21.1mm

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Tensione diretta del diodo

4.8V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

5.21mm

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed


MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.

• Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata
• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
• Funzionamento resistente a latch-up


Transistor MOSFET, Wolfspeed

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