MOSFET Microchip, canale N 60 V, 7.5 Ω Miglioramento, 230 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante 2N7008-G
- Codice RS:
- 916-3721
- Codice costruttore:
- 2N7008-G
- Costruttore:
- Microchip
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- Codice RS:
- 916-3721
- Codice costruttore:
- 2N7008-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 230mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Serie | 2N7008 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30, +30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.06mm | |
| Lunghezza | 5.08mm | |
| Altezza | 5.33mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 230mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Serie 2N7008 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30, +30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.06mm | ||
Lunghezza 5.08mm | ||
Altezza 5.33mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor MOSFET a canale N 2N7008
Il Microchip 2N7008 è un transistor con modalità potenziata (normalmente non attiva) che utilizza una struttura verticale DMOS. Il design combina le funzionalità di gestione dell'alimentazione di un transistor bipolare con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS.
Caratteristiche
Privi di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di funzionamento in parallelo
Basso CISS e rapida velocità di commutazione
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno