1 MOSFET di potenza Microchip Singolo, canale Tipo N, 3.5 Ω, 1.1 A 250 V, DFN, Superficie Depletion, 8 Pin
- Codice RS:
- 916-3725P
- Codice costruttore:
- DN2625DK6-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 5 unità (fornito in vassoio)*
11,76 €
(IVA esclusa)
14,345 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 1415 unità in spedizione dal 06 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 5 + | 2,352 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 916-3725P
- Codice costruttore:
- DN2625DK6-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Serie | DN2625 | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.5Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.04nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Lunghezza | 5.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.1 mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Serie DN2625 | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.04nC | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Altezza 0.85mm | ||
Lunghezza 5.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.1 mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor MOSFET a canale N DN2625
Il Microchip DN2625 è un transistor MOSFET con modalità di esaurimento a bassa soglia (normalmente attiva) che utilizza un'avanzata struttura DMOS verticale. Il design combina le funzionalità di gestione dell'alimentazione di un transistor bipolare con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS.
Caratteristiche
Bassa tensione di soglia del gate
Progettati per essere azionati dalla sorgente
Basse perdite di commutazione
Capacità di uscita effettiva bassa
Progettato per carichi induttivi
Transistor MOSFET, Microchip
Link consigliati
- 1 MOSFET di potenza Microchip Singolo 3.5 Ω DFN 8 Pin DN2625DK6-G
- MOSFET singoli Microchip 6 Ω Depletion 3 Pin Superficie DN3525N8-G
- MOSFET Infineon 3.5 mΩ Depletion 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.5 mΩ Depletion 3 Pin Superficie BSS139H6327XTSA1
- MOSFET singoli Microchip 35 Ω Depletion 3 Pin Superficie DN3135N8-G
- MOSFET Microchip 3 Pin Superficie DN2625K4-G
- MOSFET Microchip DFN, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1.1 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
