MOSFET IXYS, canale N 650 V, 100 mΩ Miglioramento, 34 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 917-1467P
- Codice costruttore:
- IXFH34N65X2
- Costruttore:
- IXYS
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- Codice RS:
- 917-1467P
- Codice costruttore:
- IXFH34N65X2
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 34A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | HiperFET, X2-Class | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 540W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 21.45mm | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 16.24mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 34A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie HiperFET, X2-Class | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 540W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 21.45mm | ||
Altezza 5.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 16.24mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N, HiPerFET™ serie IXYS X2
La serie di MOSFET di potenza HiPerFET classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco migliorato ad alta velocità e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione.
RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti
Diodo raddrizzatore intrinseco rapido
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori conformi allo standard industriale
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS