MOSFET onsemi, canale N 60 V, 0.027 Ω Miglioramento, 10 A, 8 Pin, SOIC, Superficie
- Codice RS:
- 917-5475P
- Codice costruttore:
- FDS5670
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*
111,20 €
(IVA esclusa)
135,65 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 20 aprile 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 2,224 € |
| 100 - 495 | 1,928 € |
| 500 - 995 | 1,694 € |
| 1000 + | 1,54 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 917-5475P
- Codice costruttore:
- FDS5670
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.027Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.027Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.