MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 0.014 Ω Miglioramento, 11 A, 8 Pin, SOIC, Superficie
- Codice RS:
- 917-5487P
- Codice costruttore:
- FDS6576
- Costruttore:
- onsemi
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- FDS6576
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.014Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 43nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.014Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.5mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..
I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello delle generazioni precedenti.
Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare i circuiti di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.