MOSFET Vishay, canale N, 22 mΩ, 20 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4334
Codice costruttore:: SI7288DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 22 mΩ, 20 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,535 €

(IVA esclusa)

0,653 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,535 €	1.605,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4334
Codice costruttore:: SI7288DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	22 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	15,6 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5.99mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	10 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.07mm

MOSFET Vishay, canale N, 22 mΩ, 20 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor

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