MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,7 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 920-6575
Codice costruttore:: STP5NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,7 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

2,364 €

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2,884 €

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Unità	Per unità	Per Tubo**
50 - 50	2,364 €	118,20 €
100 - 450	1,893 €	94,65 €
500 - 950	1,679 €	83,95 €
1000 - 4950	1,411 €	70,55 €
5000 +	1,371 €	68,55 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 920-6575
Codice costruttore:: STP5NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,5 A
Tensione massima drain source	1000 V
Tipo di package	TO-220
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,7 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	42 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	10.4mm
Larghezza	4.6mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,7 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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