MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,7 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 920-6575
Codice costruttore:: STP5NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,7 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

2,714 €

(IVA esclusa)

3,311 €

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248 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 - 50	2,714 €	135,70 €
100 - 450	2,174 €	108,70 €
500 - 950	1,927 €	96,35 €
1000 - 4950	1,621 €	81,05 €
5000 +	1,574 €	78,70 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 920-6575
Codice costruttore:: STP5NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,5 A
Tensione massima drain source	1000 V
Tipo di package	TO-220
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,7 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	42 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.6mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,7 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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