MOSFET DiodesZetex, canale N, 85 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 921-1026P
Codice costruttore:: DMG3402L-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 85 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 921-1026P
Codice costruttore:: DMG3402L-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMG3402L, N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	85 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	11,7 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.16V
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 85 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc