NVRAM Infineon, 1Mbit, 16 Pin, Montaggio superficiale, SOIC
- Codice RS:
- 194-9095
- Codice costruttore:
- CY14V101QS-SF108XI
- Costruttore:
- Infineon
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
- Codice RS:
- 194-9095
- Codice costruttore:
- CY14V101QS-SF108XI
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 1Mbit | |
| Organizzazione | 128000 byte x 8 bit | |
| Larghezza del bus dati | 8bit | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 16 | |
| Dimensioni | 10.49 x 7.59 x 2.36mm | |
| Lunghezza | 10.49mm | |
| Larghezza | 7.59mm | |
| Altezza | 2.36mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,7 V | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Numero di parole | 128K | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 1Mbit | ||
Organizzazione 128000 byte x 8 bit | ||
Larghezza del bus dati 8bit | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 16 | ||
Dimensioni 10.49 x 7.59 x 2.36mm | ||
Lunghezza 10.49mm | ||
Larghezza 7.59mm | ||
Altezza 2.36mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,7 V | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Numero di parole 128K | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Cypress CY14V101QS combina un nvsram da 1 Mbit con un'interfaccia QPI. Il QPI consente la scrittura e la lettura della memoria in un singolo (un canale i/o per un bit per ciclo di clock), doppio (due canali i/o per due bit per ciclo di clock) o quadruplo (quattro canali i/o per quattro bit per ciclo di clock) attraverso l'uso di codici operativi selezionati. La memoria è organizzata come 128Kbytes, ciascuna costituita da SRAM e celle non volatili SONOS Quantum Trap. La SRAM fornisce infiniti cicli di lettura e scrittura, mentre le celle non volatili forniscono una memorizzazione estremamente affidabile dei dati. I trasferimenti dati da SRAM alle celle non volatili (operazione DI MEMORIZZAZIONE) avvengono automaticamente allo spegnimento. All'accensione, i dati vengono ripristinati nella SRAM dalle celle non volatili (operazione DI RICHIAMO). È inoltre possibile avviare le operazioni DI MEMORIZZAZIONE e RICHIAMO tramite le istruzioni SPI.
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