NVRAM Infineon, 1Mbit, 44 Pin, Montaggio superficiale, TSOP, Parallelo
- Codice RS:
- 194-9066
- Codice costruttore:
- CY14B101NA-ZS25XI
- Costruttore:
- Infineon
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
- Codice RS:
- 194-9066
- Codice costruttore:
- CY14B101NA-ZS25XI
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 1Mbit | |
| Organizzazione | 64K x 16 bit | |
| Interfacce | Parallelo | |
| Larghezza del bus dati | 16bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 45ns | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Numero pin | 44 | |
| Dimensioni | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | |
| Lunghezza | 18.51mm | |
| Larghezza | 10.26mm | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,7 V | |
| Numero di parole | 64K | |
| Numero di bit per parola | 16bit | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 1Mbit | ||
Organizzazione 64K x 16 bit | ||
Interfacce Parallelo | ||
Larghezza del bus dati 16bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 45ns | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TSOP | ||
Numero pin 44 | ||
Dimensioni 18.51 x 10.26 x 1.04mm | ||
Lunghezza 18.51mm | ||
Larghezza 10.26mm | ||
Altezza 1.04mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,7 V | ||
Numero di parole 64K | ||
Numero di bit per parola 16bit | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
- Paese di origine:
- PH
Cypress CY14B104LA/CY14B104NA è una RAM statica veloce (SRAM), con un elemento non volatile in ogni cella di memoria. La memoria è organizzata come 512K byte di 8 bit ciascuno o 256K parole di 16 bit ciascuno. Gli elementi non volatili incorporati incorporano la tecnologia QuantumTrap, che produce una memoria non volatile affidabile. La SRAM fornisce infiniti cicli di lettura e scrittura, mentre i dati non volatili indipendenti risiedono nella cella QuantumTrap estremamente affidabile. Il trasferimento dei dati dalla SRAM agli elementi non volatili (l'operazione DI MEMORIZZAZIONE) avviene automaticamente allo spegnimento. All'accensione, i dati vengono ripristinati nella SRAM (operazione DI RICHIAMO) dalla memoria non volatile. Le operazioni DI MEMORIZZAZIONE e RICHIAMO sono disponibili anche sotto il controllo del software.
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