NVRAM Infineon, 1Mbit, 44 Pin, Montaggio superficiale, TSOP, Parallelo

Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Codice RS:
194-9065
Codice costruttore:
CY14B101NA-ZS25XI
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

1Mbit

Organizzazione

64K x 16 bit

Interfacce

Parallelo

Larghezza del bus dati

16bit

Tempo di accesso casuale massimo

45ns

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

TSOP

Numero pin

44

Dimensioni

18.51 x 10.26 x 1.04mm

Lunghezza

18.51mm

Larghezza

10.26mm

Altezza

1.04mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Massima temperatura operativa

+85 °C

Numero di bit per parola

16bit

Tensione di alimentazione operativa minima

2,7 V

Numero di parole

64K

Minima temperatura operativa

-40 °C

Cypress CY14B104LA/CY14B104NA è una RAM statica veloce (SRAM), con un elemento non volatile in ogni cella di memoria. La memoria è organizzata come 512K byte di 8 bit ciascuno o 256K parole di 16 bit ciascuno. Gli elementi non volatili incorporati incorporano la tecnologia QuantumTrap, che produce una memoria non volatile affidabile. La SRAM fornisce infiniti cicli di lettura e scrittura, mentre i dati non volatili indipendenti risiedono nella cella QuantumTrap estremamente affidabile. Il trasferimento dei dati dalla SRAM agli elementi non volatili (l'operazione DI MEMORIZZAZIONE) avviene automaticamente allo spegnimento. All'accensione, i dati vengono ripristinati nella SRAM (operazione DI RICHIAMO) dalla memoria non volatile. Le operazioni DI MEMORIZZAZIONE e RICHIAMO sono disponibili anche sotto il controllo del software.

Link consigliati