NVRAM Infineon, 4 MB 45 ns, 44 Pin, Superficie, TSOP, Parallelo
- Codice RS:
- 194-9072P
- Codice costruttore:
- CY14B104LA-ZS25XI
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 194-9072P
- Codice costruttore:
- CY14B104LA-ZS25XI
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 4MB | |
| Tipo prodotto | NVRAM | |
| Organizzazione | 512 k x 8 Bit | |
| Tipo di interfaccia | Parallelo | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 45ns | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Numero pin | 44 | |
| Larghezza | 10.26 mm | |
| Lunghezza | 18.51mm | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero parole | 512K | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Corrente di alimentazione | 70mA | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 4MB | ||
Tipo prodotto NVRAM | ||
Organizzazione 512 k x 8 Bit | ||
Tipo di interfaccia Parallelo | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 45ns | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package TSOP | ||
Numero pin 44 | ||
Larghezza 10.26 mm | ||
Lunghezza 18.51mm | ||
Altezza 1.04mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero parole 512K | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Standard automobilistico No | ||
Corrente di alimentazione 70mA | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Cypress CY14B104LA/CY14B104NA è una RAM statica veloce (SRAM), con un elemento non volatile in ogni cella di memoria. La memoria è organizzata come 512K byte di 8 bit ciascuno o 256K parole di 16 bit ciascuno. Gli elementi non volatili incorporati incorporano la tecnologia QuantumTrap, che produce una memoria non volatile affidabile. La SRAM fornisce infiniti cicli di lettura e scrittura, mentre i dati non volatili indipendenti risiedono nella cella QuantumTrap estremamente affidabile. Il trasferimento dei dati dalla SRAM agli elementi non volatili (l'operazione DI MEMORIZZAZIONE) avviene automaticamente allo spegnimento. All'accensione, i dati vengono ripristinati nella SRAM (operazione DI RICHIAMO) dalla memoria non volatile. Le operazioni DI MEMORIZZAZIONE e RICHIAMO sono disponibili anche sotto il controllo del software.
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