Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 4Mbit, 256 k x 16

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
182-3356P
Codice costruttore:
CY7C1041G30-10VXI
Costruttore:
Cypress Semiconductor
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Marchio

Cypress Semiconductor

Dimensioni memoria

4Mbit

Organizzazione

256 k x 16

Numero di parole

256k

Numero di bit per parola

16bit

Tempo di accesso casuale massimo

10ns

Paese di origine:
US
Alta velocità
tAA = 10 ns/15 ns
ECC incorporato per correzione degli errori a bit singolo[1, 2]
Bassa corrente in standby e d'esercizio
Corrente attiva: ICC = 38 mA tipica
Corrente in standby: ISB2 = 6 mA tipica
Gamma di tensione d'esercizio: Da 1,65 V a 2,2 V, da 2,2 V a 3,6 V e da 4,5 V a 5,5 V.
Conservazione dei dati 1,0 V.
Ingressi e uscite compatibili con dispositivi TTL
Pin indicazione di errore (ERR) a 1 bit per indicare il rilevamento e la correzione di errore da 1 bit
Contenitori senza piombo a 44 pin SGU, TSOP II a 44 pin e VFBGA a 48 sfere

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