Memoria SRAM Infineon da 4Mbit, 512k x 8 bit, 36 Pin, SOJ, Su foro

CY7C1049G e CY7C1049GE sono dispositivi RAM statica CMOS ad alte prestazioni con ECC incorporato. Entrambi i dispositivi sono disponibili in opzioni di abilitazione chip singolo e doppio e in configurazioni a più pin. Il dispositivo CY7C1049GE comprende un piedino ERR che segnala un evento di rilevamento e correzione degli errori durante un ciclo di lettura. La scrittura dei dati è effettuata asserendo gli ingressi bassi Chip Enable (CE) e Write Enable (WE), fornendo al contempo i dati su I/O0through mediante I/O7 e l'indirizzo sui pin da A0 a A18. Le letture dei dati sono eseguite asserendo gli ingressi bassi Chip Enable (CE) e Output Enable (OE) e fornendo l'indirizzo richiesto sulle linee di indirizzo. I dati in lettura sono accessibili sulle linee I/O (da I/O0 a I/O7).

Alta velocità
tAA = 10 ns
ECC incorporato per correzione degli errori a bit singolo[1, 2]
Bassa corrente in standby e d'esercizio
Corrente attiva: ICC = 38 mA tipica
Corrente in standby: ISB2 = 6 mA tipica
Gamma di tensione d'esercizio: Da 1,65 V a 2,2 V, da 2,2 V a 3,6 V e da 4,5 V a 5,5 V.
Conservazione dei dati 1,0 V.
Ingressi e uscite compatibili con dispositivi TTL
Pin indicazione di errore (ERR) a 1 bit per indicare il rilevamento e la correzione di errore da 1 bit
Contenitori senza piombo a 36 pin SOJ e a 44 pin TSOP II