Memoria SRAM Infineon da 4Mbit, 512k x 16 bit, 36 Pin, SOJ, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1 tubo da 19 unità*

120,099 €

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146,528 €

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*prezzo indicativo

Codice RS:
182-3295
Codice costruttore:
CY7C1049GN-10VXI
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

4Mbit

Organizzazione

512k x 16 bit

Numero di parole

512k

Numero di bit per parola

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

10ns

Frequenza di clock

100MHz

Temporizzazione

Asincrono

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOJ

Numero pin

36

Dimensioni

0.93 x 0.4 x 0.12mm

Tensione di alimentazione operativa massima

5,5 V

Altezza

0.12mm

Larghezza

0.4mm

Lunghezza

0.93mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Minima temperatura operativa

-40 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

4,5 V

Paese di origine:
US
CY7C1049GN è un dispositivo RAM statico veloce CMOS ad elevate prestazioni organizzati come 512K parole per 8 bit. La scrittura dei dati è effettuata asserendo gli ingressi bassi Chip Enable (CE) e Write Enable (WE), fornendo al contempo i dati su I/O0 mediante I/O7 e l'indirizzo sui pin da A0 a A18. Le letture dei dati sono eseguite asserendo gli ingressi bassi Chip Enable (CE) e Output Enable (OE) e fornendo l'indirizzo richiesto sulle linee di indirizzo. I dati in lettura sono accessibili sulle linee I/O (da I/O0 a I/O7). Tutti gli I/O (da I/O0 a I/O7) sono posti in uno stato di alta impedenza durante i seguenti eventi: il dispositivo è deselezionato (CE HIGH), il segnale di comando OE è de-asserito.

Elevata velocità
tAA = 10 ns
Bassa corrente in standby e d'esercizio
Corrente attiva: ICC = 38 mA tipica
Corrente in standby: ISB2 = 6 mA tipica
Gamma di tensione di esercizio: da 1,65 V a 2,2 V, da 2,2 V a 3,6 V, e
Da 4,5 V a 5,5 V
1,0 V di conservazione dei dati
Ingressi e uscite compatibili con dispositivi TTL
Contenitori senza piombo a 36 pin SOJ e a 44 pin TSOP II

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