Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 16Mbit, 512k x 16 bit, 119 Pin, PBGA, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
181-7619
Codice costruttore:
CY7C1062G30-10BGXI
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

16Mbit

Organizzazione

512k x 16 bit

Numero di parole

512k

Numero di bit per parola

32bit

Tempo di accesso casuale massimo

10ns

Larghezza del bus indirizzi

16bit

Frequenza di clock

100MHz

Bassa potenza

Sì

Temporizzazione

Asincrono

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

PBGA

Numero pin

119

Dimensioni

22 x 14 x 1.8mm

Altezza

1.8mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Massima temperatura operativa

+85 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

2,2 V

Lunghezza

22mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Larghezza

14mm

Alta velocità
tAA = 10 ns/15 ns
Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit
Bassa corrente attiva e di standby
ICC = 90 ma tipico
ISB2 = 20 mA tipico
Gamma di tensione d'esercizio: Da 1,65 V a 2,2 V, da 2,2 V a 3,6 V.
Conservazione dei dati 1,0 V.
Spegnimento automatico se deselezionato
Ingressi e uscite compatibili transistor-transistor logic (TTL)
Il pin Err indica il rilevamento e la correzione degli errori a 1 bit
Disponibile in contenitore Pb-free 119-ball Plastic Ball Grid Array (PBGA)

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