Memoria SRAM Infineon da 4Mbit, 512 k x 8

CY7C1049GN è un dispositivo RAM statico veloce CMOS ad elevate prestazioni organizzati come 512K parole per 8 bit. La scrittura dei dati è effettuata asserendo gli ingressi bassi Chip Enable (CE) e Write Enable (WE), fornendo al contempo i dati su I/O0 mediante I/O7 e l'indirizzo sui pin da A0 a A18. Le letture dei dati sono eseguite asserendo gli ingressi bassi Chip Enable (CE) e Output Enable (OE) e fornendo l'indirizzo richiesto sulle linee di indirizzo. I dati in lettura sono accessibili sulle linee I/O (da I/O0 a I/O7). Tutti gli I/O (da I/O0 a I/O7) sono posti in uno stato di alta impedenza durante i seguenti eventi: il dispositivo è deselezionato (CE HIGH), il segnale di comando OE è de-asserito.

Elevata velocità
tAA = 10 ns
Bassa corrente in standby e d'esercizio
Corrente attiva: ICC = 38 mA tipica
Corrente in standby: ISB2 = 6 mA tipica
Gamma di tensione di esercizio: da 1,65 V a 2,2 V, da 2,2 V a 3,6 V, e
Da 4,5 V a 5,5 V
1,0 V di conservazione dei dati
Ingressi e uscite compatibili con dispositivi TTL
Contenitori senza piombo a 36 pin SOJ e a 44 pin TSOP II