Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 256kbit, 32k x 8 bit, 28 Pin, TSOP, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 188-5340
- Codice costruttore:
- CY7C199D-10VXI
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 188-5340
- Codice costruttore:
- CY7C199D-10VXI
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 256kbit | |
| Organizzazione | 32k x 8 bit | |
| Numero di parole | 32k | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 10ns | |
| Larghezza del bus indirizzi | 8bit | |
| Frequenza di clock | 100MHz | |
| Bassa potenza | Sì | |
| Temporizzazione | Asincrono | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Numero pin | 28 | |
| Dimensioni | 11.9 x 8.1 x 1.15mm | |
| Altezza | 1.15mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 5,5 V | |
| Lunghezza | 11.9mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 4,5 V | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Larghezza | 8.1mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 256kbit | ||
Organizzazione 32k x 8 bit | ||
Numero di parole 32k | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 10ns | ||
Larghezza del bus indirizzi 8bit | ||
Frequenza di clock 100MHz | ||
Bassa potenza Sì | ||
Temporizzazione Asincrono | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TSOP | ||
Numero pin 28 | ||
Dimensioni 11.9 x 8.1 x 1.15mm | ||
Altezza 1.15mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 5,5 V | ||
Lunghezza 11.9mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 4,5 V | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Larghezza 8.1mm | ||
- Paese di origine:
- US
Gamma di temperature
-da 40 °C a 85 °C
Pin e funzione compatibili con CY7C99C.
Alta velocità
TAA = 10 ns
Bassa potenza attiva
ICC = 80 mA a 10 ns
Bassa potenza di standby CMOS
ISB2 = 3 mA
Conservazione dei dati 2,0 V.
Spegnimento automatico quando deselezionato
Semiconduttore di ossido metallico complementare (CMOS) per una velocità/potenza ottimale
Ingressi e uscite compatibili transistor-transistor logic (TTL)
Facile espansione della memoria con funzioni CE e OE
Disponibile in confezioni a J-lead a 28 pin stampate a 300 Mil-wide, a profilo ridotto, senza Pb (SOJ) e in confezioni a 28 pin con profilo sottile e piccolo (TSOP) I.
-da 40 °C a 85 °C
Pin e funzione compatibili con CY7C99C.
Alta velocità
TAA = 10 ns
Bassa potenza attiva
ICC = 80 mA a 10 ns
Bassa potenza di standby CMOS
ISB2 = 3 mA
Conservazione dei dati 2,0 V.
Spegnimento automatico quando deselezionato
Semiconduttore di ossido metallico complementare (CMOS) per una velocità/potenza ottimale
Ingressi e uscite compatibili transistor-transistor logic (TTL)
Facile espansione della memoria con funzioni CE e OE
Disponibile in confezioni a J-lead a 28 pin stampate a 300 Mil-wide, a profilo ridotto, senza Pb (SOJ) e in confezioni a 28 pin con profilo sottile e piccolo (TSOP) I.
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