Memoria SRAM Infineon da 1Mbit, 128000 byte x 8 bit, 32 Pin, SOJ, Montaggio superficiale

La facile espansione della memoria è fornita da un'abilitazione attiva a basso chip (CE), un'abilitazione di uscita ATTIVA BASSA (OE) e driver a tre stati. Questo dispositivo è dotato di una funzione di spegnimento automatico che riduce notevolmente il consumo energetico quando è deselezionato. La scrittura sul dispositivo viene effettuata prendendo GLI ingressi chip Enable (CE) e Write Enable (WE) BASSI. I dati sugli otto pin i/o (da i/O0 a i/O7) vengono quindi scritti nella posizione specificata sui pin degli indirizzi (da A0 a A16). La lettura dal dispositivo viene effettuata prendendo IL chip Enable (CE) e Output Enable (OE) BASSO mentre si forza WRITE Enable (WE) ALTO. In queste condizioni, il contenuto della posizione di memoria specificata dai pin dell'indirizzo verrà visualizzato sui pin i/O. Gli otto pin di ingresso/uscita (da i/O0 a i/O7) sono collocati in uno stato di alta impedenza quando il dispositivo è deselezionato (CE HIGH), le uscite sono disattivate (OE HIGH), o durante un'operazione di scrittura (CE LOW, E NOI LOW). I modelli CY7C1018DV33/CY7C1019DV33 sono disponibili in contenitori senza piombo a 32 pin 400-MIL con modanatura di larghezza, SOJ, TSOP II a 32 pin e VFBGA a 48 sfere.